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可控硅
    发布时间: 2019-02-22 11:08    

►三相共补及单相分补

    高速的实时补偿功能:利用先进技术的晶闸管取代传统的电磁接触器操作,搭配上专为高速分合控制所设计的先进补偿仪,晶闸管控制可以轻易地到20ms(一周波)以内的第一步补偿投入速率,可以满足于任何追求理想无功补偿的工作环境。
►无投入涌流
    利用优越精密的“过零投入”可控硅,所有的电容器将只在电容器内残余电压与馈线电压两者相等且同步的状态下投入,因此无一般接触器所常见的由于两者电压不同的电位差所造成的涌流,避免了电容器投入使用暂态弧光及其损害。同时也消除了精密设备最忧心的干扰现象。
►智能一体化
    全浇铸结构,坚固耐用,内置冷却风扇,自动控制风扇启停,体积小,安装方便,操作无噪音,无机械磨损,延长使用寿面,可接触式安全连接技术。
►高速投切性能
    由于使用了先进的过零投入技术,无论电容器处于充电、半放电或已完全放电状态下均可迅速再投入及切离,基本上可以达到没有使用限制的状态。


►延长电容器的使用寿命
    由于上述过零投入的优异特性,及时在高速且频繁的操作下,电容器仍然可免于传统形式的分合涌流暂态而造成绝缘介质的损坏,进而影响使用寿命。电容器的使用年限将因此大幅延生,同时避免了一般使用接触器操作时最常见的弧光及涌流所造成的危害。
►切离时无暂态电流
    过零投入可控硅将控制电容器于正弦波中电流值为零(I=0)的瞬间切离馈线,如此可以确保电容器的切离过程中无暂态电流存在,大幅的增加了使用的安全性。


技术参数


可控硅型号




选型一
单相电容+单相电抗组合,以5Kvar为最小投切单位


三相电容+三相电抗组合,以25Kvar为最小投切单位


选型二
单相电容+单相电抗+单相可控硅组合,以5Kvar为最小投切单位


三相电容+三相电抗+三相可控硅组合,以25Kvar为最小投切单位